1:30 PM - 3:30 PM
[17p-P3-1] Study of surface states on GaN single-crystalline layer
Keywords:GaN, Thermal Desorption Spectrometry, Native Oxide
本研究では,昇温脱離ガス分析法(Thermal Desorption Spectrometry:TDS)を用いて,エピタキシャル成長したGaN層の表面状態について検討した.その結果,GaN層には比較的低温領域で解離するGa-O結合が存在し,これはGaN層の表面に形成された自然酸化膜(酸化ガリウム)の可能性が高いと解った.