[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-13] 4インチc面サファイア基板上AlNの高温N₂アニールによる高品質化

〇富田 優志¹、三嶋 晃¹、矢野 良樹¹、田渕 俊也¹、松本 功¹、三宅 秀人² (1.大陽日酸㈱、2.三重大)

キーワード：窒化アルミニウム、アニール

4インチc面サファイア基板上に成長したAlNの高温N₂アニール処理を実施した。AlNのアニール前後の表面モフォロジー変化を光学顕微鏡像、結晶品質をX線ロッキングカーブ測定により比較した。アニールの結果、光学顕微鏡像の観察ではアニール前後でAlNの表面モフォロジーに変化は見られなかった。また、(0002)面及び(10-12)面のX線ロッキングカーブ半値幅は基板全面で小さくなった。