[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-16] Si基板上半極性(1-101)GaNストライプレーザー端面への反射膜作製

〇鈴木 崇文¹、伊藤 大貴¹、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大赤﨑記念研究センター、4.名大ベンチャービジネスラボラトリー)

キーワード：窒化物半導体