[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-5] RF-MBE法によるグラファイト上へのInN成長

〇(B)荒川 真吾¹、久保中 湧士¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹ (1.立命館大理工)

キーワード：InN、エピタキシャル成長、層状材料

本研究では、面外方向にダングリングボンドを持たず、転位の発生が抑制できる成長基板として期待されるグラファイト上へのInNのMBE成長を試みた。GaNテンプレート基板上と異なり、グラファイト上では300nm前後の六角柱状のInN結晶が多数成長することが確認された。六角柱状結晶のサイズ、形状、密度は成長温度によって大きく変化する。成長時間やV/III供給比による結晶成長制御についても検討する。