[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-6] 4H-SiC上ポーラスエピタキシャルグラフェン基板を用いたRF-MBE InN初期核形成

〇石丸 大樹¹、寺井 汰至²、橋本 明弘¹ (1.福井院工、2.福井工)

キーワード：窒化物半導体、エピタキシャルグラフェン

InNは、様々なデバイスに応用が期待されている。しかしながら、高転位密度などに起因する高い残留キャリア濃度などにより、p型InNの形成は難しい。高品質InN結晶層の成長において、転位密度低減のためには、初期核形成過程のa軸配向性制御が重要な役割を担う。a軸制御のために微細孔を形成した4H-SiC基板上に、Si昇華法を用いて形成したポーラスエピタキシャルグラフェン基板を基板とした際のInN初期核形成について報告する。