[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-P3-7] RF-MBE法によるGaNナノワイヤ選択成長における成長条件依存性

〇環 尚杜^1,2、山本 侑也^1,2、薗田 彬人^1,2、本久 順一^1,2 (1.北大情報科学研究科、2.北大量集センター)

キーワード：GaN、ナノワイヤ選択成長、MBE

未開拓領域であるテラヘルツ帯は、大容量通信への利用が期待されているが、FET高速化のためにゲート長を短くすると、短チャネル効果により、スイッチング動作が困難になる。三次元構造である縦型ナノワイヤ(NW) FETは、サラウンディングゲート構造による優れたゲート制御性を有し、この問題の解決が期待できる。本研究では、縦型FETに適したGaN NW作製を目的とし、GaN NWの選択成長と、その成長条件依存性を明らかにしたので報告する。