[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-8] MBE法によるGa_1-x Tb_xNの成長と評価

〇(M1)柳谷 諒^1,2、長谷川 繁彦² (1.大阪大理、2.産研)

キーワード：希薄磁性半導体