[17p-P3-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P3-9] GaN中への窒素によるMgのリコイルインプランテーションの試み

〇山田 寿一¹、田岡 紀之¹、高橋 言緒²、清水 三聡¹ (1.産総研GaN-OIL、2.産総研)

キーワード：リコイルインプランテーション、窒化ガリウム

GaNに、イオン注入法でMgイオンをドーピングし、P型を作製することはかなり困難である。MgイオンがGaNバルクにダメージを与え、熱処理による活性化では回復が難しいためである。そこで、我々はイオン注入によるp-GaN層の形成技術の確立を目標とし、その実現のため、打ち込みイオンにより生じるダメージをさらに低減させる必要があると考え、窒素イオンによるMg原子のリコイル（弾き出し）インプランテーションを試みた。