09:00 〜 09:15 [20a-141-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ゲート酸化膜厚および窒化処理がSiC MOS反転層移動度へ及ぼす影響 〇野口 宗隆1、岩松 俊明1、網代 啓之1、渡邊 寛1、喜多 浩之2、三浦 成久1 (1.三菱電機、2.東大院工)