09:30 〜 11:30 [20a-PA5-4] SiH4/O3による低温常圧CVD SiO2膜の生成と酸化物半導体TFTへの適用 〇鈴木 宏之1、上野 智雄2、内山 博幸3、倉知 郁生4、吉岡 献太郎1 (1.天谷製作所、2.東京農工大、3.日立製作所、4.D&S Inc.)