09:15 〜 09:30 [21a-141-2] 4H-SiCエピタキシャル成長層におけるPLイメージングと分光スペクトル測定による部分転位の解析 〇西尾 譲司1、櫛部 光弘1、岡田 葵1、太田 千春1 (1.(株)東芝)