16:00 〜 18:00 [18p-PA6-22] 窒化物半導体デバイスに向けた表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜の検討 〇馬場 真人1、岡田 浩1、古川 雅一2、山根 啓輔1、関口 寛人1、若原 昭浩1 (1.豊技大、2.アリエース・リサーチ)