16:00 〜 18:00 [19p-PB6-5] 液滴エピタキシー法によるInAlAs/InP(111)A上InAs量子ドット形成におけるInAs下地層の効果 〇間野 高明1、ハ ヌル1、黒田 隆1、大竹 晃浩1、野田 武司1、迫田 和彰1 (1.物材機構)