09:15 〜 09:30 [21a-CE-2] Trimmed Gate型TFETにおける超急峻スイッチング特性 〇浅井 栄大1、森 貴洋1、松川 貴1、服部 淳一1、遠藤 和彦1、福田 浩一1 (1.産総研)