15:30 〜 15:45 [20p-211A-9] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による高密度InGaN/GaNナノ構造の作製 〇大江 優輝1、生江 祐介1、松岡 明裕1、川崎 祐生1、伊藤 大智1、森谷 祐太1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大・理工、2.上智大ナノテクセンター)