16:00 〜 18:00 [18p-PA6-10] 選択ドライエッチングがp型GaNゲートAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの特性へ及ぼす影響 〇(M1)近藤 孝明1、赤澤 良彦1、岩田 直高1 (1.豊工大)