16:00 〜 18:00 [19p-PB8-16] ミストCVD法による3C-SiC (111)テンプレート基板へのε-Ga2O3ヘテロエピタキシャル成長 〇金子 豊和1、藤原 壮大1、小山 政俊1、前元 利彦1、佐々 誠彦1 (1.大阪工大ナノ材研)