長井研太

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発表者・著者、共著者

2018年9月19日(水) 09:30 〜 11:30 224A (224-1)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-224A-1~8] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30

[19a-224A-8] c面サファイアoff基板を用いたc-In₂O₃(111)単結晶のHVPE成長

〇長井研太¹、中畑秀利¹、小西敬太¹、Plamen P. Paskov²、Bo Monemar^2,3、熊谷義直^1,3 (1.東京農工大院工、2.リンチョーピン大、3.東京農工大GIR)