11:00 〜 11:15 △ [20a-331-8] マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上にMOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布 〇(M1)坂尾 佳祐1、堀田 昌宏2、須田 淳1,2,3、朴 冠錫4、山岡 優哉4、矢野 良樹4、松本 功4 (1.名大院工、2.京大院工、3.名大未来研、4.大陽日酸)