13:30 〜 15:30 [21p-PB6-2] 第一原理計算によるa-, m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築 金子 智昭1、田島 暢夫1、山崎 隆浩1、〇奈良 純1、清水 達雄2、加藤 弘一3、大野 隆央1 (1.物材機構、2.東芝R&D、3.東大生研)