15:00 〜 15:15 △ [21p-232-8] ダイヤモンドMOSFETにおける電界効果移動度の不純物濃度依存 〇松本 翼1、加藤 宙光2、牧野 俊晴2、小倉 政彦2、竹内 大輔2、猪熊 孝夫1、山崎 聡1,2、徳田 規夫1,2 (1.金沢大、2.産総研)