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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[19p-234B-1~19] 6.4 薄膜新材料

2018年9月19日(水) 13:15 〜 18:30 234B (234-2)

土屋哲男(産総研)、一杉太郎(東工大)、村岡祐治(岡山大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

▲ [19p-234B-1] Structure and optical properties of sputter deposited pseudobrookite Fe₂TiO₅ thin films

〇HaiDang NGO^1,2、Thien Duc NGO¹、Kai CHEN^1,3、Akemi TAMANAI¹、Orjan S. HANDEGARD^1,2、Naoto UMEZAWA¹、Toshihide NABATAME¹、Tadaaki NAGAO^1,2 (1.MANA, NIMS、2.Hokkaido Univ、3.Jinan Univ, China)

13:30 〜 13:45

▲ [19p-234B-2] Preparation of RFe₂O₄(R = Lu, Tm) Thin Films by Pulsed Laser Deposition Method and Their Magnetic Properties

〇(D)YouJin Kim¹、Shinya Konishi¹、Yuichiro Hayasaka²、Katsuhisa Tanaka¹ (1.Graduate school of engineering, Kyoto Univ.、2.The electron microscopy center for Tohoku Univ.)

13:45 〜 14:00

▲ [19p-234B-3] Phase transformation of octahedral tilted monoclinic SrRuO₃ and tetragonal SrRuO₃ thin film on SrTiO₃ substrate

〇(P)Okkyun SEO¹、Sung Su Lee²、Jaemyung Kim¹、Chulho Song¹、Satoshi Hiroi¹、Yanna Chen¹、Yoshio Katsuya¹、Osami Sakata¹ (1.NIMS/SPring-8、2.GIST)

14:00 〜 14:15

▲ [19p-234B-4] Improvement of SiGe MOS Interfaces Properties by TiN/Y₂O₃ Gate Stacks

〇(M2)TsungEn Lee¹、Kimihiko Kato¹、Mengnan Ke¹、Mitsuru Takenaka¹、Shinichi Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo)

14:15 〜 14:30

▲ [19p-234B-5] Bandgap tunable Zn₃N₂-Mg₃N₂ alloy for photovoltaic absorber

〇(PC)Xiang Cao¹、Peng Wu²、Kenta Matsuura¹、Thomas Tiedje²、Naoomi Yamada¹ (1.Chubu Univ.、2.Univ. Victoria)

14:45 〜 15:00

△ [19p-234B-6] α, β-Co(OH)₂前駆体を用いた(111)-Co₃O₄シートの合成と(111)配向機構

〇(DC)林兼輔¹、山田啓介¹、嶋睦宏¹ (1.岐阜大工院工)

15:00 〜 15:15

△ [19p-234B-7] 化学溶液堆積法を用いた水酸化ニッケルー酸化銅ナノ構造体の作製とその特性評価

〇三上萌¹、金敬鎬¹、阿部良夫¹、川村みどり¹、木場隆之¹ (1.北見工業大学)

15:15 〜 15:30

△ [19p-234B-8] 透明電極基板上に作製したニッケル-コバルト複合水酸化物の形態及び電気化学的特性

〇本山世那¹、金敬鎬¹、阿部良夫¹、川村みどり¹、木場隆之¹ (1.北見工大)

15:30 〜 15:45

△ [19p-234B-9] イットリウム酸水素化物エピタキシャル薄膜のフォトクロミック特性評価

〇(M1)小松遊矢¹、清水亮太^1,2、西尾和記¹、宮内雅浩¹、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ)

15:45 〜 16:00

△ [19p-234B-10] 酸水素化ネオジムNdO_xD_y(111)エピタキシャル薄膜の合成と磁気特性

〇沓澤大¹、廣瀬靖¹、杉澤悠紀²、菊田純市²、関場大一郎²、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.筑波大)

16:00 〜 16:15

△ [19p-234B-11] 分子線エピタキシー法による新規磁性半導体EuAs薄膜の作製

〇佐藤慎¹、打田正輝¹、中澤佑介¹、西早辰一¹、川﨑雅司^1,2 (1.東大工、2.理研CEMS)

16:15 〜 16:30

△ [19p-234B-12] マンガン窒化物Mn₃(Cu_1-xAg_x)N単結晶薄膜の電気磁気特性

〇川崎友暉¹、田中健登¹、畑野敬史¹、浦田隆広¹、飯田和昌¹、生田博志¹ (1.名大工)

16:30 〜 16:45

△ [19p-234B-13] 高品質スピネルフェライト薄膜の作製と磁気特性

〇池田竜大¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

17:00 〜 17:15

△ [19p-234B-14] 環境試験を行ったアルミ積層銀薄膜の光学特性変化

〇佐々木祐弥¹、川村みどり¹、木場隆之¹、阿部良夫¹、金敬鎬¹、速水舞²、杉山拓也²、室谷裕志² (1.北見工大、2.東海大学)

17:15 〜 17:30

△ [19p-234B-15] CaH₂還元によるNi薄膜のトポタクティック低温合成

〇野口裕太郎¹、吉松公平¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

17:30 〜 17:45

△ [19p-234B-16] 擬似ナノ液膜を介した気相エピタキシー法による SiC 薄膜成長

〇(D)山王堂尚輝¹、大住亜朱香¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

17:45 〜 18:00

△ [19p-234B-17] 窒化物厚膜をターゲットに用いたパルスレーザー堆積法によるZn₃N₂エピタキシャル薄膜の作製

〇土井雅人¹、朱雨庭¹、中尾祥一郎¹、廣瀬靖¹、杉澤悠紀²、菊田純一²、関場大一郎²、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.筑波大)

18:00 〜 18:15

△ [19p-234B-18] 複合成膜により成膜された低屈折率SiO₂光学薄膜(２)

〇都野義樹¹、増山賢二¹、室谷裕志¹、松本繁治² (1.東海大院工、2.(株)シンクロン)

18:15 〜 18:30

△ [19p-234B-19] 真空中におけるエリプソメトリを用いたイオン液体薄膜のガラス転移観察

〇石川湧己¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

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