特別シンポジウム
[20p-CE-1~9] GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学
2018年9月20日(木) 13:30 〜 17:45 CE (センチュリーホール)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
13:30 〜 13:45
〇白石 賢二1 (1.名大未来研)
13:45 〜 14:15
〇田中 敦之1,2、 宇佐美 茂佳3、 福島 颯太3、 安藤 悠人3、 久志本 真希3、 出来 真斗1、 新田 州吾1、 本田 善央1、 天野 浩1,2,4,5 (1.名大未来研、2.物材機構、3.名大院工、4.名大赤崎記念研究センター、5.名大VBL)
14:15 〜 14:45
〇松岡 隆志1、 窪谷 茂幸1、 谷川 智之1、 加納 聖也2 (1.東北大学 金研、2.日亜化学工業㈱)
14:45 〜 15:15
〇伊藤 智徳1 (1.三重大院工)
15:15 〜 15:45
〇成田 哲生1、 冨田 一義1、 徳田 豊2、 小木曽 達也2、 五十嵐 信行3、 菊田 大悟1、 堀田 昌宏4、 加地 徹3 (1.豊田中研、2.愛知工大、3.名大IMaSS、4.京大院工)
15:45 〜 16:15
〇小出 康夫1、 生田目 俊秀1、 色川 芳宏1、 三石 和貴1 (1.物質・材料研究機構)
16:15 〜 16:45
〇高島 信也1 (1.富士電機)
16:45 〜 17:15
〇渡部 平司1、 山田 高寛1、 野崎 幹人1、 細井 卓治1、 志村 考功1 (1.阪大院工)
17:15 〜 17:45
〇須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)