[18a-131-1~10] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

[18a-131-1] SVL多層膜構造による半導体のバンドギャップ制御

〇(M2)高木 宣俊¹、小川 敬也¹、奥村 英之¹、石原 慶一¹ (1.京大エネ科)

キーワード：半導体、磁性、エピタキシャル

SVL構造という新規薄膜多層構造を作製し、半導体薄膜にスピンの揃った強磁性体を原子レベルで近接させることで、半導体の光学特性［遷移モード］を変化させることを研究目的とした。SVL構造は配向した強磁性体膜/反強磁性体膜/基板で構成され、本研究ではRFスパッタ法を使用し、エピタキシャル配向したコバルト/ヘマタイト/サファイアを作製した。その上に形成した酸化チタンは、バンドギャップの変化が確認された。