[18a-145-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18a-145-10] 有機トランジスタ界面系の大規模電子状態計算

〇角田 皓亮¹、桑田 亨成¹、藤田 貴敏²、松井 弘之³、星 健夫¹ (1.鳥取大、2.分子研、3.山形大)

キーワード：有機半導体界面、大規模電子状態計算、ペンタセン

松井らの電子スピン共鳴(ESR)実験を対象として，ペンタセン(半導体層)・パリレンC(アモルファス状有機高分子の絶縁体層)からなる有機トランジスタ界面の大規模(数万原子系)電子状態計算を行った．ESRスペクトルから，準局在π電子（ペンタセン数十分子の広がりをもつ）が示唆されている．本計算は局在π電子を再現し，その発生メカニズムによりデバイス材料デザイン(絶縁体層物質選択)の基礎を与えた．