[18a-146-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-146-13] MBE Growth of GaN Thin films on Sapphire Substrates Using h-BN/AlN Buffer Layers

〇Yasuyuki Kobayashi¹, Keiichi Nakata¹, Hideki Nakazawa¹, Hiroshi Okamoto¹, Masanobu Hiroki², Kazuhide Kumakura² (1.Hirosaki Univ., 2.NTT BRL)

Keywords:boron nitiride, molecular beam epitaxy

MBEによるサファイア基板上h-BN層上のGaN成長において、h-BN上にAlNバッファ層を導入することによりGaN薄膜の結晶性の向上を見出した。