[18a-146-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-146-13] h-BN/AlNバッファ層を用いたサファイア基板上GaN薄膜のMBE成長

〇小林 康之¹、中田 啓一¹、中澤 日出樹¹、岡本 浩¹、廣木 正伸²、熊倉 一英² (1.弘前大学、2.NTT物性基礎研)

キーワード：窒化ホウ素、分子線エピタキシー

MBEによるサファイア基板上h-BN層上のGaN成長において、h-BN上にAlNバッファ層を導入することによりGaN薄膜の結晶性の向上を見出した。