[18a-146-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-146-2] Inhomogeneous Structure of N-Polar InGaN/GaN Quantum Well

〇Takanori Kiguchi¹, Takahisa Shiraishi¹, Yumiko Kodama¹, Toyohiko J. Konno¹, Tomoyuki Tanikawa¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:InGaN, Local strain field, STEM

N極性GaN上に成長したInGaN/GaN量子井戸構造について、収差補正STEM法をベースにInGaN層の構造不均一性を局所的な組成分布、歪み分布、結合状態の観点から調べた知見について報告する。