[18a-146-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-146-2] N極性InGaN/GaN量子井戸構造における構造の不均一性

〇木口 賢紀¹、白石 貴久¹、兒玉 裕美子¹、今野 豊彦¹、谷川 智之¹ (1.東北大金研)

キーワード：InGaN、局所弾性場、STEM

N極性GaN上に成長したInGaN/GaN量子井戸構造について、収差補正STEM法をベースにInGaN層の構造不均一性を局所的な組成分布、歪み分布、結合状態の観点から調べた知見について報告する。