[18a-146-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-146-4] 【Highlighted Presentation】Propagation behavior of threading dislocations and evolution of epitaxially-lateral overgrowth in HVPE-grown GaN measured by multiphoton-excitation photoluminescence

〇Tomoyuki Tanikawa¹, Takehiro Yoshida², Takashi Matsuoka¹ (1.IMR, Tohoku Univ., 2.SCIOCS)

Keywords:GaN, MPPL, Threading dislocation

低転位GaN基板の作製に向けて成長機構と転位の挙動との関係解明が課題である。本研究では、厚膜GaN結晶をHVPE選択成長し、多光子励起PLにより内部構造観察を行った。バンド端近傍発光とイエロールミネッセンス発光の強度比は成長面により異なり、発光強度比から成長中の形状が分かる。一方、転位は暗線として観測される。MPPL像からこれらの情報を取得することで、成長中の三次元形状と転位の挙動を同位置計測することができた。