[18a-146-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-146-5] Classification and behavior of dislocations propagating
from GaN substrate to epitaxial film

〇Sho Inotsume^1,2, Nobuhiko Kokubo^1,2, Hisashi Yamada², Shoichi Onda¹, Junji Ohara¹, Shunta Harada¹, Miho Tagawa¹, Toru Ujihara^1,2 (1.Nagoya University, 2.AIST GaN-OIL)

Keywords:GaN

GaNパワーデバイスは高周波高耐圧と優れた特性が期待されるが、デバイス中に貫通転位によりリーク電流の発生や移動度低下などの悪影響を及ぼす。本研究ではホモエピタキシャル成長させたGaN基板について、ラマン分光法及びX線トポグラフィにより決定した貫通転位の種類やバーガースベクトルの方向と、2光子励起フォトルミネッセンス法により観察した転位の3次元的な伝播挙動とを比較することで、両者の関係性の評価を試みた。