[18a-146-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-146-5] GaN基板からエピタキシャル膜へ伝播する転位の分類と挙動の解明

〇井爪 将^1,2、小久保 信彦^1,2、山田 永²、恩田 正一¹、大原 淳士¹、原田 俊太¹、田川 美穂¹、宇治原 徹^1,2 (1.名大、2.産総研 GaN-OIL)

キーワード：GaN

GaNパワーデバイスは高周波高耐圧と優れた特性が期待されるが、デバイス中に貫通転位によりリーク電流の発生や移動度低下などの悪影響を及ぼす。本研究ではホモエピタキシャル成長させたGaN基板について、ラマン分光法及びX線トポグラフィにより決定した貫通転位の種類やバーガースベクトルの方向と、2光子励起フォトルミネッセンス法により観察した転位の3次元的な伝播挙動とを比較することで、両者の関係性の評価を試みた。