[18a-146-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-146-8] Structural analysis of Ga adlayers on GaN surface

〇Takuo Sasaki¹, Takuya Iwata², Masamitu Takahasi^1,2 (1.QST, 2.Univ. Hyogo)

Keywords:Synchrotron radiation, molecular beam epitaxy, GaN

私たちはGaN成長中の表面がどのような構造をしているのか、その実際の姿を定量的に捉えることで、窒化物半導体エピタキシャル成長の基礎学理を理解し、結晶のさらなる高品質化に向けた成長技術の開発を目指している。これまでに、RHEED強度とCrystal Truncation Rod（CTR）散乱強度を同時にその場測定することで、GaN表面上にある2ML程度のGa吸着層が表面垂直方向にも面内方向にも秩序をもっていることを突き止めた。本研究はGa吸着層の構造をより定量的に検討するため、その場測定で得られたCTR散乱強度に対して、構造モデルのシミュレーションをおこなった。