[18a-212A-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[18a-212A-1] Ge-on-Insulatorプラットフォーム上熱光学位相シフタの実証

〇藤垣 匠¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：中赤外フォトニクス

各種センシングへの応用が期待される中赤外フォトニクスに向け、我々は広い中赤外波長帯域で動作可能なGe CMOSフラットフォームを提案している。本報告では、Ge-on-Insulator(GeOI)基板上にGe熱光学位相シフタの作製を行った。Geの高い熱光学効果を利用することによって、Si熱光学位相シフタの半分程度である8.7 mW/πの位相変調効率を達成することに成功した。