[18a-212A-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

[18a-212A-2] GOI基板を用いた非対称ー金属／Ge／金属構造光素子の作製・特性評価

〇後藤 太希¹、前蔵 貴行¹、仲江 航平¹、山本 圭介¹、中島 寛²、王 冬¹、Miao Zhang³、Zhongying Xue³、Zenfeng Di³ (1.九大総理工、2.九大GIC、3.中国科学院SIMIT)

キーワード：光デバイス、ゲルマニウム、GOI基板