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[18a-222-4] Al2O3極薄膜によるポア壁面の表面電荷状態制御
キーワード:マイクロポア、原子層堆積法
固体マイクロポアデバイスの表面に、原子層堆積法(ALD)を用いてAl2O3膜を1 nm~20 nmの範囲で成膜した。このデバイスを用いて、粒子がポアを通過する際のイオン電流変化を計測し、各Al2O3膜厚におけるシグナルの大きさ及び検出頻度の変化について検証した。Al2O3の膜厚に応じたイオン電流応答の変化が見られた。成膜したAl2O3の厚さによってSi3N4/Al2O3表面のゼータ電位が1 mV以下の精度で変化し通過時の粒子ダイナミクスに影響を与えたと考えられる。