[18a-223-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-223-7] 超低電圧動作を可能にするVO₂モットトランジスタの設計指針

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東大)

キーワード：金属絶縁体転移、VO2、モットトランジスタ

酸化バナジウムVO₂をチャネルとするモットトランジスタにおいて、SS=1mV/decを下回る超急峻なスイッチング特性を実現した。本素子を用いてゲート電圧とドレイン電圧に対するVO₂チャネルの相図を作製した結果、「ドレイン電圧の影響が相転移のばらつきを上回るときに急峻なスイッチング特性が発現する」というモットトランジスタならではの設計指針が得られた。