[18a-224B-1~10] 17.3 Layered materials

[18a-224B-5] Removal of Residual Sulfur Deposited during Sulfurization Process of Sputtered-MoS₂ Film through HfO₂ Film

〇Haruki Tanigawa¹, Kentaro Matsuura¹, Masaya Hamada¹, Takuro Sakamoto¹, Iriya Muneta¹, Takuya Hoshii¹, Kuniyuki Kakushima¹, Kazuo Tsutsui¹, Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:MoS2, Sulfur removal

スパッタMoS₂膜のMISFET応用に向けて、スパッタMoS₂膜をHfO₂絶縁膜越しに硫化し、表面に残留堆積した硫黄をラジカル酸化により除去した。