[18a-224B-1~10] 17.3 Layered materials

[18a-224B-6] Fabrication of hafnium disulfide thin film by using metal source

〇Takuma Ozawa¹, Noriyuki Urakami^1,2, Yoshio Hashimoto^1,2, Mauricio Terrones^3,2 (1.Shinshu Univ. Faculty of Eng., 2.Shinshu Univ. Inst. of Carbon Sci. and Tech, 3.The Pennsylvania State Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenides

二流化ハフニウム(HfS₂)は高い電子移動度(1800 cm² V^-1 s^-1)とバンドギャップエネルギー(1.2 eV)を持つ層状化合物半導体であり、低消費電力電子素子材料として期待されている。
現在入手可能な金属Hfは最大6N(数100 ppmのZrを除く)の高純度であるため、それを用いた化学気相堆積(CVD)合成が可能となればHfS₂の作製手法に新たな指針を示すことができる。本報告では塩化ナトリウムと高純度金属Hfを用いたHfS₂薄膜のCVD法に関して、合成条件の最適化を目標に検討した。