[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

[18a-224B-6] 金属原料を用いた二流化ハフニウム薄膜の作製

〇小澤 拓真¹、浦上 法之^1,2、橋本 佳男^1,2、Terrones Mauricio^3,2 (1.信州大工、2.信大カーボン研、3.ペンシルベニア州立大)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド

二流化ハフニウム(HfS₂)は高い電子移動度(1800 cm² V^-1 s^-1)とバンドギャップエネルギー(1.2 eV)を持つ層状化合物半導体であり、低消費電力電子素子材料として期待されている。
現在入手可能な金属Hfは最大6N(数100 ppmのZrを除く)の高純度であるため、それを用いた化学気相堆積(CVD)合成が可能となればHfS₂の作製手法に新たな指針を示すことができる。本報告では塩化ナトリウムと高純度金属Hfを用いたHfS₂薄膜のCVD法に関して、合成条件の最適化を目標に検討した。