[18a-224B-1~10] 17.3 Layered materials

△ [18a-224B-9] Raman Spectroscopic Evaluation of MoS₂ Film Fabricated by DC Bias Sputtering

〇Yuya Oyanagi¹, Seiya Ishihara^1,3, Yusuke Hibino^1,3, Naomi Sawamoto¹, Takumi Ohashi², Kentarou Matsuura², Hitoshi Wakabayashi², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.Tokyo Thch., 3.JSPS Research Fellow)

Keywords:mos2, bias sputtering, raman spectoscopic

MoS₂化合物ターゲットを使用したRFマグネトロンスパッタ法によるMoS₂薄膜成長では、基板加熱により膜中に硫黄欠損が生成されることで結晶化が阻害されるなど課題が存在する。我々がこれまでに実施してきた堆積後硫化アニールのような2ステップによる硫黄欠損補填法では、モリブデン原子のマイグレーション不足により結晶性に課題が存在し、1ステップでの硫黄欠損抑制が望まれる。本研究ではスパッタMoS₂作製時、基板に正のDCバイアス電圧を印加することで結晶性が向上することをラマン分光法により確認したので報告する。