[18a-225B-1~9] 3.11 フォトニック構造・現象

[18a-225B-8] 完全バンドギャップを有するGaAsバレーフォノニック結晶の設計

〇金 仁基¹、荒川 泰彦²、岩本 敏^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：トポロジカル、フォノニック結晶、バレーフォノニクス

周期構造における波数空間のバレー自由度の活用を弾性波に展開したバレーフォノニック結晶(Valley Phononic Crystals: VPnCs)が最近注目を集めている。量子バレーホール効果とのアナロジーから弾性波のバレートポロジカルエッジ状態はバレー間の散乱が抑制され、急峻な曲げにおいても低損失弾性波伝搬が可能である。しかし、これまで完全バンドギャップを持つ2D-VPnCに関する研究は、２種類の金属を用いたkHz帯での検討であり単一材料でMHz～GHzで動作可能なものは報告されていない。今回、GaAs を用いたVPnCを設計し、モノリシックな構造において完全バンドギャップ中でバレートポロジカルエッジ状態が実現可能であることを見出したので報告する。