10:45 AM - 11:00 AM
[18a-231A-6] Nonlinear behavior of silicon photodiode in near-infrared region
Keywords:Photometry, Photodetector
シリコンフォトダイオード(Si PD)は、ナノワットからミリワットの広い光パワーレベルや可視光から近赤外の波長範囲で精密な光測定が可能なため、光パワーメータ、照度計や輝度計、放射温度計などといった計測機器に利用されている。広い光パワーに拡張するには、その応答の直線性を評価する必要がある。理想的なSi PDは応答出力が直線的であるが、ほとんどのSi PDは、ある入射パワーから応答が増加する非直線性を示す。近赤外光におけるSi PDの応答非直線性は、放射温度計の評価にとって重要であり、評価が必要である。