[18a-232-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[18a-232-10] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQW レーザ構造の発振特性

〇杉山 滉一¹、内田 和希¹、韓 旭¹、矢田 拓夢¹、Periyanayagam Gandhi Kallarasan¹、相川 政輝¹、早坂 夏樹¹、松浦 正樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：レーザ、InP/Si、直接貼付

光配線は，電気配線を光配線に置き換えることで，LSIの消費電力や高速大容量通信などの問題を克服する技術です．我々はシリコン基板上への光デバイスの集積方法として，薄膜InP層とSi基板を直接接合して作製したInP / Si基板上に結晶成長する方法を提案している．この方法を用いて，ボイドのない2インチInP / Si基板，1.5µm波長帯のInP / Si基板上半導体レーザを得た[1,2]．本研究では，InP / Si基板上にSCH-MQW構造レーザを実現した．