[18a-232-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[18a-232-11] Thermal Properties of Implantation-Induced Intermixed Quantum Dot Laser Diode

〇Atsushi Matsumoto¹, Yota Akashi², Shohei Isawa², Yuichi Matsushima³, Katsuyuki Utaka² (1.NICT, 2.Waseda Univ., 3.Waseda GCS)

Keywords:LD, QD, Intermixing

近年、通信容量が急増し、光集積回路を用いた大容量通信ネットワークに向けた研究がされている。一方、我々は、量子ドット(QD)に注目し、イオン注入を用いたQD組成混晶化技術により、結晶再成長を用いずにQDモノリシック光集積回路の作製・基礎特性の実証をしてきた。本稿では、この技術によ作製したLDの温度特性を評価した結果、従来のQD-LDよりも良好な特性が得られたので報告する。