2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18a-232-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2018年9月18日(火) 09:00 〜 12:00 232 (232)

荒井 昌和(宮崎大)

09:45 〜 10:00

[18a-232-4] 高次回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおける水平横モード制御

〇(M2)徳永 裕武1、沼居 貴陽1 (1.立命館大理工)

キーワード:半導体レーザー、リッジ型導波路

エルビウムドープ光増幅器の励起用光源として用いられる発振波長980 nmのリッジ型半導体レーザーにおいて,安定な基本横モード動作を実現する目的で,メサ脇のp-クラッド層に4次の横方向位相シフト回折格子を設けた.その結果,注入電流が3 Aの範囲で安定した基本横モード動作が得られた.