[18a-232-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[18a-232-6] GaAs/AlGaAs多層膜結合共振器への電流注入による二波長発振の動的振る舞いの温度依存性

〇小楠 洸太朗¹、南 康夫¹、盧 翔孟¹、熊谷 直人²、森田 健³、北田 貴弘¹ (1.徳島大院、2.産総研、3.千葉大院)

キーワード：面発光レーザ、二波長レーザ、テラヘルツLED

面型テラヘルツ波発光デバイスの研究を行っている。この素子は、2つの等価な共振器層と3つのブラッグ反射多層膜で構成される結合共振器構造を有し、小型で室温動作する。量子井戸への電流注入により、近赤外で二波長レーザ発振し、同一素子内での差周波発生によりテラヘルツ波を得ることを原理とする。差周波発生を得るためには、二波長同時発振していることが必要である。この二波長発振の動的振る舞いの温度依存性を調べた。