[18a-233-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[18a-233-3] アモルファスWSi_nバリア膜とCuの反応性：組成比n依存性

〇岡田 直也¹、内田 紀行¹、小川 真一¹、金山 敏彦¹ (1.産総研)

キーワード：シリサイド、バリア膜、BEOL

我々は、新しいバリア膜としてWSi_nクラスターを凝集したアモルファス半導体薄膜（WSi_n膜）に着目している。本研究では、WSi_n膜の優れた組成制御性を利用して、様々なn値のWSi_n膜とCuの積層構造を作製し、熱処理による反応性を調べた。WSi_n膜はSiリッチ組成であるにもかかわらず、Cuとの反応が抑制される。特にn=~8と~12で抑制効果が大きい。