[18a-235-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [18a-235-3] パルスレーザー蒸着法による高濃度Sn置換GeSn粒子の形成

〇(M1)中島 哲平¹、菊地 俊文^1,2、妹川 要^1,2、中村 大輔¹、池上 浩^1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード：GeSn、PLD、ナノ粒子

GeSnは４族半導体であり，Snの組成比が10%以上で直接遷移半導体となることが知られている．それゆえに，GeSnはシリコンフォトニクスの受発光素子の材料として期待されている．しかしながら，Ge結晶構造中へのSnの固溶限界は約2%であり，高濃度Snを含むGeSn薄膜の形成は困難である．
我々は，パルスレーザー蒸着法（PLD法）により，雰囲気Arガス分圧を制御することで気相中でのGeSn粒子の凝集過程を制御し，高濃度Sn置換GeSn粒子の形成する方法を提案する．今回は，PLD法によって形成されたGeSnの結晶性と形成機構について報告する．