[18a-431B-1~8] 6.5 Surface Physics, Vacuum

△ [18a-431B-2] Fabrication of GaN thin films using the VLS-PLD method

〇Motoki Fujimura¹, Asuka Osumi¹, Shingo Maruyama¹, Yuji Matsumoto¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:gallium nitride

窒化ガリウム(GaN)はワイドバンドギャップを持つ優れた半導体材料である。今回、当研究室独自のVapor-liquid-solid(VLS)-PLD法を用いて、Ga Fluxへ原料供給することで、GaN薄膜の作製に成功した。膜の表面形状は、Fluxを介していない場合と比較して平滑であり、より高品質であることが分かった。